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3 プロダクト
| 絵 | モデル | 価格 | 数量 | 株式 | メーカー | 説明 | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Pd - Power Dissipation | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Gain | Transistor Type | |
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Wolfspeed / Cree | RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt | SMD/SMT | 3x4 DFN | + 150 C | Reel | 30 W | 12 W | GaN | N-Channel | 150 V | 3.6 A | - 10 V, 2 V | 21 dB | HEMT | ||
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ビュー | MACOM | RF JFET Transistors DC-3.5GHz Gain 14dB GaN SiC | SMD/SMT | + 95 C | Reel | 10 W | 12 W | GaN SiC | N-Channel | 65 V | 500 mA | 14 dB | HEMT | |||||
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ビュー | MACOM | RF JFET Transistors DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC | SMD/SMT | SOT89-3 | + 95 C | Reel | 5 W | 12 W | GaN SiC | N-Channel | 50 V | 0.3 A | 13.5 dB | HEMT |
