- Pd - Power Dissipation :
- Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage :
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2 プロダクト
| 絵 | モデル | 価格 | 数量 | 株式 | メーカー | 説明 | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Transistor Type | Maximum Drain Gate Voltage | |
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見積もりを取得 |
2,081
在庫あり
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ON Semiconductor | RF JFET Transistors LOW-FREQUENCY AMPLIFIER | SMD/SMT | SOT-23-3 | + 150 C | Reel | 200 mW | Si | N-Channel | 15 V | 50 mA | - 15 V | JFET | - 15 V | ||
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見積もりを取得 |
14,810
在庫あり
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Fairchild Semiconductor | RF JFET Transistors NCh RF Transistor | SMD/SMT | SOT-23-3 | + 150 C | Reel | 225 mW | Si | N-Channel | 5 mA | - 25 V | JFET | 25 V |
