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| 絵 | モデル | 価格 | 数量 | 株式 | メーカー | 説明 | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Pd - Power Dissipation | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Gain | Transistor Type | Maximum Drain Gate Voltage | |
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200
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Qorvo | RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm | SMD/SMT | Die | + 150 C | Waffle | 41.6 dBm | 17 W | GaN SiC | N-Channel | 32 V | 820 mA | 18.2 dB | HEMT | 100 V |
