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- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Packaging :
- Technology :
- Transistor Polarity :
- Id - Continuous Drain Current :
- Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage :
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4 プロダクト
絵 | モデル | 価格 | 数量 | 株式 | メーカー | 説明 | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Pd - Power Dissipation | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Gain | Transistor Type | Maximum Drain Gate Voltage | |
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見積もりを取得 |
642
在庫あり
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Wolfspeed / Cree | RF JFET Transistors GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt | SMD/SMT | DFN-12 | + 150 C | Reel | 6 W | - | GaN | N-Channel | 100 V | 950 mA | - 10 V to + 2 V | 16 dB | HEMT | - | ||
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見積もりを取得 |
120
在庫あり
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Qorvo | RF JFET Transistors 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V | SMD/SMT | QFN-16 | - | Tray | 6 W | 7.5 W | GaN SiC | P-Channel | 32 V | 600 mA | - 2.7 V | 18 dB | HEMT | - | ||
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見積もりを取得 |
160
在庫あり
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Wolfspeed / Cree | RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt | SMD/SMT | Bare Die | - | Gel Pack | 6 W | - | GaN | N-Channel | 100 V | 0.8 A | - 10 V to + 2 V | 17 dB | HEMT | - | ||
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見積もりを取得 |
325
在庫あり
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Qorvo | RF JFET Transistors 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB | SMD/SMT | QFN-16 | + 225 C | Tray | 6 W | 8.4 W | GaN SiC | N-Channel | 32 V | 326 mA | - 2.7 V | 13 dB | HEMT |