- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
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3 プロダクト
絵 | モデル | 価格 | 数量 | 株式 | メーカー | 説明 | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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547
在庫あり
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Low-Vceon | Through Hole | TO-220FP-3 | Tube | 39 W | Single | 600 V | 2.2 V | 12 A | +/- 20 V | |||||
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264
在庫あり
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Infineon / IR | IGBT Transistors IR IGBT 600V 6A, COPAK-D2PAK | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 175 C | Tube | 39 W | 600 V | 2 V | 6 A | 100 nA | 20 V | ||||
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524
在庫あり
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Infineon / IR | IGBT Transistors IR IGBT 600V 6A, COPAK-DPAK | SMD/SMT | DPAK-3 | + 175 C | Tube | 39 W | 600 V | 2 V | 6 A | 100 nA | 20 V |